Способ плазмохимического травления кремния

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для контроля профиля травления кремния во время процесса травления. Технической проблемой, на которую направлено изобретение, заключается в повышении точности вытравляемых структур в кремнии. Технический результат достигается путём использования оптико-эмиссионной спектроскопии в установке плазмохимического травления и определения профиля травления по соотношению интенсивностей излучения линии углерода (517,1 нм) и линии фтора (685,8 и 703,9 нм), которое отображается в степени поляризации газа, равной IC/(IF1+IF2), при этом IC – интенсивность линии углерода, IF1, IF2 – интенсивности линий фтора.