Программа для моделирования процесса ионно-плазменного нанесения оксинитридных тонких пленок при одновременном распыление мишеней двух химических элементов

11.12.2023

Программа предназначена для нахождения параметров получаемого покрытия при одновременном магнетронном распылении мишеней из кремния и молибдена при подаче в камеру азота и наличии естественной остаточной атмосферы. Программа выполняет функции расчёта характеристической функции, теоретических расчетов парциального давления азота в зависимости от массового расхода азота для процесса реактивного напыления, расчёта скорости осаждения и концентрации материалов мишеней и прореагировавших компонентов газовой смеси на образце.

ГРНТИ

47.13.11 Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники

Ключевые слова

скорости осаждения

магнетронное распыление

Детали

НИОКТР

№ 123111400009-0

Тип РИД

Программа для ЭВМ

Сферы применения

Методы контроля поперечных сечений многослойных структур полупроводниковых чипов интегральных схем

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"

Заказчик

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Похожие документы

Программа для определения оптимального технологического режима для процесса ионно-плазменного нанесения оксинитридных тонких пленок при одновременном распылении мишеней двух химических элементов

0.952

РИД

Программа для прогнозирования химического состава конденсационного покрытия на внутренней поверхности полых изделий при термическом испарении бинарных сплавов в вакууме с соосно расположенного стержневого испарителя

0.888

РИД

Программа для расчета технологических режимов формирования оксидных наноструктур методом локального анодного окисления

0.887

РИД