Программа расчета параметров зонной перекристаллизации в градиенте температур для получения непоглощающих окон в двойной лазерной гетероструктуре GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs

Программа предназначена для расчета параметров метода зонной перекристаллизации в градиенте температур для получения лазерной гетероструктуры GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs с заданным распределением алюминия по толщине. Изменяя технологические параметры: температура Т, толщина жидкой зоны L, можно добиться необходимой концентрации алюминия и его распределения в активной области лазерной гетероструктуры GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs для эффективной работы полупроводникового лазера на его основе. Возможно создать распределение концентрации алюминия и, соответственно, ширины запрещенной зоны симметрично относительно исходного распределения, что позволит сохранить волноводную структуру лазера и, следовательно, имеется возможность уменьшения рассеивания пучка выходного излучения из активной области гетеролазера. Для проведения расчетов необходимо знать область ограничивающих факторов, при которых невозможно проводить процесс перекристаллизации.