Источник быстрых атомов для травления диэлектриков

Изобретение относится к области обработки изделий ускоренными ионами или быстрыми атомами и предназначено для получения изделий с повышенными характеристиками за счет удаления дефектного поверхностного слоя пучком быстрых атомов. Технический результат – повышение надежности и срока службы источника пучка быстрых атомов аргона при обработке диэлектрических изделий за счет снижения диэлектрических загрязнений на электродах источника. Источник быстрых атомов для травления диэлектриков, содержит газоразрядную камеру, цилиндрический полый катод внутри камеры, анод внутри полого катода и перекрывающую выходное отверстие полого катода круглую вогнутую сетку, установленный напротив сетки и проходящий через ее фокальную точку экран с отверстием в области фокальной точки.