РИД
№ 624012605447-7Программа для расчета плотности тока холодной полевой эмиссии одноямной двухбарьерной и двухъямной трехбарьерной резонансно-туннельных структур методом матриц переноса
26.01.2024
Программа предназначена для вычисления плотности тока холодной полевой эмиссии одноямной двухбарьерной и двухъямной трехбарьерной резонансно-туннельных структур, возникающих при формировании квантовых гетероструктур с анодным, катодным и двумя сеточными электродами с напряжениями Ua на аноде и Ug (одинаковыми) на сетках. Программа рассчитывает квантовый потенциал методом многократных изображений, решает уравнение Шредингера методом матриц переноса, вычисляет коэффициенты отражения и прозрачности для разных энергий и рассчитывает плотность туннельного тока с катода на анод. Исходными данными служат размеры структуры (зазоров и сеток), напряжения на электродах, работы выхода электродов.
ГРНТИ
47.09.48 Наноматериалы для электроники
29.19.25 Взаимодействие проникающего излучения с твердыми телами
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
наноматериалы
электропроводность
вольт-амперные характеристики
транспорт электронов
Детали
НИОКТР
Тип РИД
Программа для ЭВМ
Сферы применения
Программа может быть использована для построения ВАХ резонансно-туннельных транзисторов и диодов.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского"
Заказчик
Российский научный фонд
Похожие документы
Программа для расчета коэффициентов отражения и прозрачности одноямной двухбарьерной и двухъямной трехбарьерной резонансно-туннельных структур методом трансформации волнового импеданса
0.927
РИД
Программа для ЭВМ 'Программа для расчета cтатических характеристик резонансно-туннельных диодов на основе GaN'
0.904
РИД
Программа численного моделирования эффективности сбора наведенного тока в полупроводниковых структурах
0.899
РИД
Программа для ЭВМ "Расчет распределения потенциалов и токов в гетероструктурах в геометрии Ван-дер-Пау"
0.896
РИД
Программа расчёта величины плотности заряда в диэлектрической плёнке методом вольт-фарадных характеристик
0.896
РИД
Программа моделирования распределения электрического поля в наноразмерном канале проводимости квази-вакуумного полевого транзистора с учётом ненулевой шероховатости катода
0.889
РИД
Программа для расчета параметров полевого транзистора с затвором на основе нанопроволок оксида меди и различной плотностью ловушек на поверхности затвора
0.889
РИД
Программа для вычисления частотных и температурных зависимостей коэффициента поглощения света на внутризонных переходах с участием продольных оптических фононов
0.883
РИД
Программа моделирования зонной диаграммы в полупроводниковых структурах
0.881
РИД
Программа для расчёта термоэлектрических эффектов в наноконтактах
0.880
РИД