Интегральная схема полумостового силового каскада на основе эпитаксиальной гетероструктуры типа p-GaN/AlGaN/GaN

Интегральная схема полумостового силового каскада изготавливается по интегральной нитрид-галлиевой технологии с минимальным требуемым разрешением 0,1 мкм. Полумостовая схема реализуется с помощью двух силовых транзисторных ключей путём объединения истока одного ключа со стоком второго. Уровни металлизации соединены переходными микроотверстиями, заполненными металлами Ti, Al, TiN, Au или их сочетаниями, что облегчает планаризацию слоёв при производстве. Для надежного запирания силовых ключей их затворы окружают области истоков на поверхности гетероструктуры. В каждом из двух силовых транзисторных ключей совокупная ширина канала 465,5 мм реализуется на площади не более 4,4 × 4,4 мм за счёт эффективного расположения транзисторных ячеек. С целью противодействия эффекту «коллапса тока» в силовых ключах и увеличения напряжения пробоя полумостового силового каскада, конструкция снабжена системой экранирующих электродов соединённых с истоком в каждом из транзисторных ключей.