Вертикально-излучающий лазер

Вертикально-излучающий лазер на подложке GaAs с топологией кристалла в виде тройной меза-структуры включает нижний полупроводниковый распределенный брэгговский отражатель (РБО), нижний внутрирезонаторный контактный слой n-типа c нижним электрическим контактом n-типа, нижнюю композиционную брэгговскую решетку n-типа, оптический резонатор с активной областью в центре, содержащей квантовые ямы и барьеры, верхнюю композиционную брэгговскую решетку n-типа с селективно-окисленной токовой апертурой, верхний внутрирезонаторный контактный слой р-типа с электрическим контактом р-типа, фазокорректирующий слой р-типа, верхний диэлектрический РБО, примыкающий к верхнему внутрирезонаторному контактному слою непосредственно в светоизлучающей области. Нижний РБО образован не менее, чем 35 парами чередующихся пар слоев из AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs (0,90≤x≤0,94 и 0,12≤y≤0,20). Количество пар чередующихся слоев из р-AlxGa1-xAs/р-AlyGa1-yAs в верхней композиционной решетке р-типа больше количества пар чередующихся слоев из n-AlxGa1-xAs/n-AlyGa1-yAs в нижней композиционной решетке n-типа. Селективно-окисленная токовая апертура имеет ромбовидную форму и характерный размер 1,5-2,5 мкм. Наряду с этим активная область состоит из по меньшей мере пяти слоев квантовых ям, выполненных из InxGa1-xAs 0,1≤x≤0,15 толщиной 4-10 нм. Вторая меза, включающая селективно-окисленную токовую апертуру и активную область, имеет характерный диаметр 30-40 мкм. Технической проблемой, решаемой в рамках предложенной полезной модели, является расширение арсенала средств для генерирования лазерного излучения в компактных квантовых стандартах частоты. Технический результат заключается в расширении арсенала лазерных источников для компактных квантовых стандартов частоты, основанных на эффекте когерентного пленения населенности в атомах 133Cs.