Туннельный магниторезистивный элемент с вихревым распределением намагниченности в свободном слое и способ его изготовления

Группа изобретений относится к электронной технике. В туннельном магниторезистивном (ТМР) элементе свободный магнитный слой состоит из текстурированного слоя CoFeB(7 нм), непосредственно примыкающего к туннельному изолирующему слою MgO(1,2 нм), и аморфного слоя CoFeB(40 нм), непосредственно контактирующего с текстурированным слоем CoFeB(7 нм) и обеспечивающего возможность формирования магнитного вихря. При этом свободный магнитный слой формируют в два этапа, причем на первом этапе происходит кристаллизация аморфных слоев CoFeB а на втором этапе методом магнетронного распыления непосредственно на текстурированный слой CoFeB(7 нм) наносят аморфный слой CoFeB(40 нм), обеспечивающий возможность формирования магнитного вихря. Текстурированный слой обеспечивает высокий уровень ТМР эффекта, аморфный слой обеспечивает формирование магнитного вихревого состояния. Технический результат – упрощение процесса изготовления ТПР элемента при сохранении высокой величины ТМР эффекта.