РИД
№ 624021400041-6Способ изготовления металлических межсоединений
14.02.2024
Технология способа состоит в следующем: методом электронно-лучевого испарения наносят нижний слой хрома толщиной 5-20 нм со скоростью осаждения 0,1 нм/с при давлении 10-9 мм рт.ст., затем наносят слой меди толщиной 450 нм со скоростью осаждения 0,5 нм/с, затем верхний слой хрома толщиной 5-30 нм со скоростью осаждения 0,1 нм/с с последующим отжигом при температуре 400°C в атмосфере Ar-Н2 в течение 30 мин. Активные области полупроводникового прибора и электроды к ним формировали по стандартной технологии. Изобретение обеспечивает снижение сопротивления, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
ГРНТИ
29.19.31 Полупроводники
Ключевые слова
полупроводниковые приборы
межсоединения
пониженное значение сопротивления
электронно-лучевое испарение
слой хрома
Детали
Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления межсоединений с пониженным значением сопротивления.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ЧЕЧЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АХМАТА АБДУЛХАМИДОВИЧА КАДЫРОВА"
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Похожие документы
Изготовление металлических межсоединений.
0.971
Промышленная инновация
Способ формирования многослойного омического контакта к прибору на основе арсенида галлия
0.914
РИД
Способ изготовления полупроводникового прибора с многослойными проводниками
0.913
РИД
Способ изготовления полупроводниковых структур
0.911
РИД
Способ изготовления полупроводникового прибора
0.911
РИД
Способ металлизации сквозных отверстий в полуизолирующих полупроводниковых подложках
0.911
РИД
Способ изготовления полупроводникового прибора
0.908
РИД
Способ изготовления полупроводниковой структуры молекулярно-лучевой эпитаксией и установка для сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
0.908
РИД
Способ изготовления полупроводникового прибора
0.908
РИД
Способ изготовления полупроводникового прибора
0.908
РИД