РИД
№ 624030400049-4Способ защиты поверхности полупроводниковой пластины при резке на кристаллы
04.03.2024
Способ защиты лицевой части пластины путем нанесения слоя аэрозольного фоторезиста непосредственно перед резкой пластины на отдельные кристаллы
ГРНТИ
29.03.39 Лабораторная электроника
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
Полупроводниковая пластина
фоторезист
МИС
нитрид галлия
Детали
НИОКТР
Тип РИД
Секрет производства (ноу хау)
Сферы применения
разработка и производство микроэлектронных устройств
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ"
Заказчик
Правительство Российской Федерации
Похожие документы
Способ формирования фоторезистивной маски
0.893
РИД
Способ локального травления двуокиси кремния
0.890
РИД
Способ получения фоторезистивного слоя на различных подложках
0.887
РИД
Способ изготовления полупроводниковых структур
0.886
Промышленная инновация
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНЫХ ОКОН В СЛОЕ ЗАЩИТНОГО ОСНОВАНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ПРИБОРА
0.883
РИД
Способ изготовления полупроводникового прибора
0.882
РИД
Способ изготовления полупроводникового прибора
0.882
РИД
Способ увеличения адгезии фоторезиста в технологии нитрид галлия на кремнии
0.881
РИД
Способ разделения пластины, содержащей множество кристаллов, герметизированных слоем компаунда, на отдельные микросхемы
0.878
Промышленная инновация
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА
0.877
Промышленная инновация