Способ получения кристаллического сцинтиллятора на основе самоактивированного редкоземельного галогенида

Изобретение относится к технологии получения исходных материалов и выращиванию методом горизонтальной направленной кристаллизации (ГНК) сцинтилляционных монокристаллов на основе бромида церия с общей формулой CeBr3 со 100% содержанием сцинтиллирующего иона Се3+ и может быть использована при изготовлении элементов детекторов и спектрометров, чувствительных к гамма-, рентгеновскому излучению и другим видам ионизирующего излучения. По сравнению с кристаллами на основе галогенидов лантана, обладающих собственным γ-излучением из цепочки распада 138La, кристаллы CeBr3 обладают сверхнизким собственным фоновым излучением 0,004 Бк/см3, что является их значительным преимуществом при создании гамма-детекторов. Подготовленный особым методом исходный материал бромида церия загружают в контейнер, в качестве которого может быть выбрана - кварцевая ампула, либо лодочка из малопористого изостатического графита или стеклоуглерода. Выращивают монокристалл путем горизонтальной протяжки контейнера с расплавленной шихтой при 7900С в низкотемпературную зону ростовой установки в условиях создаваемого в контейнере градиентного температурного участка. Инновация настоящего изобретения заключается в использовании впервые при выращивании кристаллов бромида церия в качестве оборудования: ростовой установки метода ГНК; различных материалов для изготовления тиглей – кварцевых ампул, малопористых графитов различных марок; технологии специальной подготовки исходного материала для выращивания с добавками - бромида кадмия к шихте в качестве дегидрирующего агента и тетрабромметана к газовой среде выращивания в качестве бромирующего агента , что обеспечивает получение качественных кристаллов бромида церия. Задачей настоящего изобретения является получение эффективного сцинтиллятора для создания чувствительного гамма-спектрометра.