Полупроводниковый электролюминесцентный источник света

Полупроводниковый электролюминесцентный источник света содержит подложку GaAs и излучающую p-n-гетероструктуру AlGaInAs, включающую AlGaInAs изотипную с подложкой фотолюминесцентную структуру (FS), к которой примыкает AlGaAs электролюминесцентная p-n структура (ES). FS и ES содержат соответственно активные области с множественными квантовыми ямами, выполненными из InyGa1-yAs-AlxGa1-xAs в FS и из AlxGa1 xAs в ES. К активным областям с обеих сторон прилегают ограничивающие слои из AlхGa1-хAs с концентрацией Al в ES и FS большей, чем в слоях активных областей в FS и в ES. К ограничивающим слоям прилегают барьерные AlхGa1-хAs слои с концентрацией Al в ES и FS, превышающей концентрацию Al в ограничивающих слоях ES и FS. При этом концентрации Al слоях активной области ES установлены превышающими концентрации Al в ограничивающих слоях FS. Два фронтальных слоя в ES выполнены с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки и остальных слоев гетероструктуры, выполненных изотипными с подложкой. Установлены соотношения толщин между ограничивающими и барьерными слоями в FS и ES. Полупроводниковый электролюминесцентный источник света обеспечивает увеличение внешнего квантового выхода излучения при величине внутренней квантовой эффективности близкой к 100% в фотолюминесцентной части структуры.