Сверхвысокочастотная монолитная интегральная схема малошумящего усилителя с байпас-каналом

Микросхема предназначена для использования в приемопередающих модулях для усиления принимаемого сигнала, либо передачи его с низкими потерями, в диапазоне частот 8-12 ГГц. Малошумящий усилитель состоит из двух каскадов псевдоморфных транзисторов с высокой подвижностью электронов (pHEMT), включенных по схеме с общим истоком. Первый каскад обеспечивает максимальный коэффициент усиления и коэффициент шума близкий к минимальному. Второй каскад реализует максимальное усиление по мощности. Для минимизации влияния затворного смещения транзисторов на их шумовые и усилительные характеристики оба каскада содержат схему истокового автосмещения. Байпас-канал состоит из pHEMT, функционирующих в режиме изменяемого сопротивления канала, и представляет из себя два двухпозиционных коммутатора, закороченных друг на друга. За счет использования в байпас-плече одного последовательного и двух параллельных транзисторов достигается качественная изоляция байпас-канала от плеча с малошумящим усилителем (~ минус 70 дБ). Микросхема изготавливается на GaAs подложке по технологии pHEMT с проектной нормой 0.5 мкм. Контактные площадки и обратная сторона пластины металлизированы золотом, лицевая сторона пластины пассивирована нитридом кремния. Габаритные размеры кристалла 2.3 ×1.7 мм2.