РИД
№ 624041902473-6Способ получения термоэлектрического материала на основе селенида меди
19.04.2024
Изобретение относится к технологии получения термоэлектрического материала на основе селенида меди Cu2Se и может найти применение при создании термоэлектрических генераторов среднетемпературного диапазона. Способ включает в себя получение порошкового материала методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС).
Техническим результатом предлагаемого способа является возможность получения термоэлектрического материала Cu2Se методом СВС в одну стадию, что позволяет упростить технологию изготовления.
Технический результат достигается тем, что способ получения термоэлектрического материала Cu2Se, включает в себя приготовление смеси порошков, смешивание порошков в шаровой мельнице; свободную засыпку исходной шихты в кварцевую форму, проведение синтеза, отличающийся тем, что исходную смесь Cu и Se смешивают в молярном соотношении 2:1, исходная шихта помещается в СВС реактор без предварительного прессования, а синтез проводят методом СВС в среде Ar при давлении 0.5-1.5 МПа.
ГРНТИ
55.23.13 Прессование, спекание и штамповка изделий из порошковых материалов
45.09.35 Полупроводниковые материалы
Ключевые слова
самораспространяющийся высокотемпературный синтез
термоэлектрический материал
селенид меди
Детали
Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Изобретение относиться к производству термоэлектрических материалов на основе Cu2Se которые могут найти применение при создании термоэлектрических генераторов среднетемпературного диапазона.
Ожидается
Исполнитель
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Похожие документы
Способ получения термоэлектрического материала на основе Cu2Se
0.981
РИД
Способ получения термоэлектрического материала на основе Cu-Al-Mn
0.954
РИД
Способ получения термоэлектрического материала p-типа проводимости на основе твёрдых растворов Bi2Te3-Sb2Te3
0.927
РИД
Способ получения термоэлектрического материала PbSnTeSe, основанный на реакционном искровом плазменном спекании
0.924
РИД
Способ получения термоэлектрического композита системы Bi2Te3-Ni с локально-градиентными включениями.
0.922
РИД
Способ получения тонкой пленки CuInGaSe2 методом управляемой селенизации
0.917
РИД
Способ получения термоэлектрического материала на основе теллурида висмута
0.915
РИД
Способ получения тонкой пленки CuGaSe2
0.912
РИД
Способ получения термоэлектрических материалов
0.909
РИД
Способ получения стабильных аморфных термоэлектрических материалов
0.908
РИД