РИД
№ 624050800050-4Монолитная интегральная схема широкополосного трансимпедансного усилителя для систем оптической связи до 5 Гб/с на основе 180 нм КМОП технологии
08.05.2024
Функционально ИМС является трансимпедансным усилителем (ТИУ), выполненным на основе 180 нм КМОП технологии, с диапазоном частот до 4 ГГц. ТИУ содержит четыре усилительных каскада, цепи обратной связи, схему компенсации постоянной составляющей, схему индикации уровня сигнала оптического приёмника и схему подачи питания на фотодиод. Схема содержит контакт управления коэффициентом трансимпедансного усиления. ИМС предназначена для использования в составе оптоэлектронных приемных модулей. Технические характеристики: диапазон частот DC-4 ГГц; малосигнальный коэффициент усиления 36-39 дБ, коэффициент трансимпедансного усиления в дифференциальном включении 70-73 дБΩ; согласование с 50 Ом по входу и выходу не хуже -12 дБ; амплитуда выходного сигнала 600 мВ; максимальная моделируемая битовая скорость 5 Гбит/с, напряжение питания +3,3 В; ток потребления 63 мА. Размеры кристалла 1x0,9 мм2 . Топология ИМС разработана в рамках НИОКТР, FEWM-2023-0014.
ГРНТИ
47.33.31 Интегральные микросхемы
Ключевые слова
ИНФОРМАЦИОННО-ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ
ОПТИЧЕСКИЙ КАНАЛ
Детали
НИОКТР
Тип РИД
Топология интегральных микросхем
Сферы применения
В образовательной и научной деятельности
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Похожие документы
Монолитная интегральная схема трансимпедансного усилителя для линий связи 25 Гб/с на основе 90 нм КМОП технологии
0.961
РИД
Интегральная схема СВЧ трансимпедансного усилителя для систем оптической связи до 10 Гбит/с на основе 180 нм КМОП технологии
0.950
РИД
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ТРАНСИМПЕДАНСНОГО УСИЛИТЕЛЯ ДЛЯ ЛИНИЙ СВЯЗИ 2,5 ГБ/С НА ОСНОВЕ 180 НМ КМОП ТЕХНОЛОГИИ
0.948
РИД
Монолитная интегральная схема буферного усилителя S-диапазона с интегрированным датчиком температуры на основе 180 нм КМОП технологии
0.914
РИД
Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя S-диапазона с автосмещением на основе 0,5 мкм GaAs pHEMT технологии
0.907
РИД
Монолитно-интегральная схема усилителя мощности Ka-диапазона частот
0.906
РИД
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА МАЛОШУМЯЩЕГО УСИЛИТЕЛЯ ДИАПАЗОНА 2-4 ГГЦ НА ОСНОВЕ 180 НМ КМОП ТЕХНОЛОГИИ
0.905
РИД
Монолитная интегральная схема SiGe BiCMOS трансимпедансного усилителя диапазона DC-20 ГГц с дифференциальным выходом и компенсацией постоянной составляющей
0.903
РИД
Монолитно-интегральная схема буферного усилителя Ka-диапазона частот
0.902
РИД
Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя для диапазона частот 8–12 ГГц
0.900
РИД