БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ ДЕТЕКТОР НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ ИМПУЛЬСНОГО РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Изобретение относится к технике регистрации ионизирующего излучения, в частности к детекторам импульсного рентгеновского излучения. Сущность изобретения заключается в том, что для регистрации рентгеновского излучения используется полупроводниковый детектор, состоящий из широкозонного материала на основе полупроводниковых соединений галлия (GaAs) типа структуры p+/i/n+. Устройство содержит в себе кристалл GaAs структуры p+/i/n+ толщиной 540,3 мкм, сплошную металлизацию Pt/TiN/Ag толщиной 100 нм, слой полиамида, слой герметика, слой металлизации Ti/Pd/Au, который помещен в корпус типа СППД11-ХХ. Техническим результатом заявленной полезной модели является повышение быстродействия детекторов в 1,5-2 раза и увеличение амплитуды полезного сигнала в 1,5-3 раза. Повышение быстродействия детекторов в 1,5-2 раза и увеличение амплитуды полезного сигнала в 1,5-3 раза достигается за счет применения новых широкозонных материалов, оригинальных конструкций чувствительных элементов и технологии корпусирования. Это в свою очередь также позволит создать высокочувствительные детекторы с субнаносекундным быстродействием, увеличить амплитуду полезного сигнала и сделать прибор с более длительным сроком службы. Область техники Полезная модель относится к GaAs-детекторам для регистрации импульсного рентгеновского излучения с высоким напряжением пробоя и высокой степенью поглощения заряда, а также с лучшим энергетическим разрешением и более высокой радиационной стойкостью Уровень техники Из уровня техники известно, что существует аналог кремниевый чувствительный элемент типа А-282, но он не является полным аналогом. Производимые чувствительные элементы импульсного рентгеновского излучения на основе полупроводникового кремния обеспечивают быстродействие на уровне 1,5-2 нс, что ограничивает их применение при решении современных задач ядерной и радиационной физики. Полные аналоги отсутствуют как в России, так и в зарубежных странах. Технической проблемой заявленной полезной модели является обеспечение возможности применения чувствительного элемента по электрическим параметрам и габаритным размерам в корпусах детекторов типа СППД11-хх. Также конструкция чувствительного элемента должна обеспечивать механическую прочность и отсутствие механических напряжений на кристалл при установке и креплении чувствительного элемента в корпусе детектора СППД.