Способ определения диэлектрической проницаемости материала тонкослойного объекта в терагерцевом диапазоне. (Регистрация заявки на изобретение № 2024120682)

Изобретение относится к методам определения оптических свойств тонкоплёночных объектов субволновой толщины в терагерцевой (ТГц) области спектра путём измерения характеристик поверхностных плазмон-поляритонов (ППП), направляемых проводящей подложкой, содержащей объект исследования. Способ осуществляется путём нанесения объекта в виде однородного слоя известной субволновой толщины на плоскую подложку. Подложку выбирают проводящей и содержащей однородный покровный слой непоглощающего диэлектрика толщиной, при которой длина распространения ППП максимальна. После чего на подложке генерируют монохроматическое излучение пучка ППП. Далее определяют показатель преломления с помощью собранного на подложке плазмон-поляритонного интерферометра Майкельсона и показатель поглощения ППП до нанесения на подложку исследуемого слоя и при его наличии. Причем исследуемый слой выбирают механически прочным и наносят его только на ту часть подложки, по которой перемещается подвижное зеркало интерферометра. Затем рассчитывают диэлектрическую проницаемость материала объекта по результатам измерений.