Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления тонкопленочного транзистора включает процессы формирования активных областей, слоя аморфного кремния и отжиг, при этом слой аморфного кремния формируют на подложке кремния Si после обработки обратной стороны подложки ионами аргона Ar с энергией 90 кэВ, дозой 1013 см-2, толщиной 240 нм, осаждением в водород-аргоновой плазме при отношении концентраций Н/Ar - 32%, температуре 300°С, давлении 0,27 Па, скорости осаждения 0,17 нм/с. Технический результат: обеспечение возможности снижения дефектности, обеспечения технологичности, улучшения параметров приборов, повышения качества и увеличения процента выхода годных приборов.