МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ОДНОКАСКАДНОГО ТРАНСИМПЕДАНСНОГО УСИЛИТЕЛЯ НА ОСНОВЕ 0,5 МКМ GAAS РНЕМТ ТЕХНОЛОГИИ

28.11.2024

Функционально ИМС является однокаскадным одноканальным трансимпедансным усилителем с обратной связью и двухполярным питанием, выполненным на основе 500 нм GaAs технологии, с рабочим диапазоном частот DC-6 ГГц. Технические характеристики: диапазон частот DC-6 ГГц; коэффициент трансимпедансного усиления 52 - 55 дБΩ, коэффициент отражения по входу и выходу не хуже -10 дБ; Vp-p = 0,8 В; напряжение питания +/-3,3 В; ток потребления - не более 65 мА. Размеры кристалла 1,29 × 1,22 мм2.

ГРНТИ

47.33.31 Интегральные микросхемы

Ключевые слова

ДВУХПОЛЯРНОЕ ПИТАНИЕ

ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ТРАНСИМПЕДАНСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

GaAs ТЕХНОЛОГИИ

ИМС

Детали

НИОКТР

№ 123052500057-6

Тип РИД

Топология интегральных микросхем

Сферы применения

В образовательной и научной деятельности

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"

Заказчик

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Похожие документы

МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ТРЕХКАСКАДНОГО ТРАНСИМПЕДАНСНОГО УСИЛИТЕЛЯ НА ОСНОВЕ 0,5 МКМ GAAS РНЕМТ ТЕХНОЛОГИИ

0.967

РИД

МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА 5- БИТНОГО ЦИФРОВОГО АТТЕНЮАТОРА S- ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ 0,5 МКМ GAAS РНЕМТ ТЕХНОЛОГИИ

0.932

РИД

МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ТРЕХКАСКАДНОГО МАЛОШУМЯЩЕГО УСИЛИТЕЛЯ KU-ДИАПАЗОНА С АВТОСМЕЩЕНИЕМ НА ОСНОВЕ 0,5 МКМ GAAS РНЕМТ ТЕХНОЛОГИИ

0.927

РИД