РИД
№ 624112800236-7

МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА 5- БИТНОГО ЦИФРОВОГО АТТЕНЮАТОРА S- ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ 0,5 МКМ GAAS РНЕМТ ТЕХНОЛОГИИ

28.11.2024

ИМС представляет собой цифровой перестраиваемый аттенюатор (ЦАТТ), выполненный на основе 0,5 мкм GaAs рНЕМТ технологии. Технические характеристики: диапазон частот 2,7 - 3,2 ГГц; вносимые потери в опорном состоянии -5,3 дБ; коэффициент отражения по входу/выходу -12/-12,6 дБ; разрядность/шаг ослабления 5/0,5 дБ; максимальный уровень ослабления 15,5 дБ. Размеры кристалла 1,6 × 3,5 мм2.
ГРНТИ
47.33.31 Интегральные микросхемы
Ключевые слова
GAAS РНЕМТ
ЦИФРОВОЙ ПЕРЕСТРАИВАЕМЫЙ АТТЕНЮАТОР
ИМС
Детали

НИОКТР
Тип РИД
Топология интегральных микросхем
Сферы применения
В образовательной и научной деятельности
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Похожие документы
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ЦИФРОВОГО ПЕРЕСТРАИВАЕМОГО 6-ТИ БИТНОГО АТТЕНЮАТОРА НА ОСНОВЕ 180 НМ КМОП ТЕХНОЛОГИИ
0.935
РИД
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ОДНОКАСКАДНОГО ТРАНСИМПЕДАНСНОГО УСИЛИТЕЛЯ НА ОСНОВЕ 0,5 МКМ GAAS РНЕМТ ТЕХНОЛОГИИ
0.932
РИД
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ТРЕХКАСКАДНОГО МАЛОШУМЯЩЕГО УСИЛИТЕЛЯ KU-ДИАПАЗОНА С АВТОСМЕЩЕНИЕМ НА ОСНОВЕ 0,5 МКМ GAAS РНЕМТ ТЕХНОЛОГИИ
0.918
РИД
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ТРЕХКАСКАДНОГО ТРАНСИМПЕДАНСНОГО УСИЛИТЕЛЯ НА ОСНОВЕ 0,5 МКМ GAAS РНЕМТ ТЕХНОЛОГИИ
0.917
РИД
Монолитная интегральная схема 5-битного цифрового аттенюатора S-диапазона созданный на базе 0,5 мкм GaAs pHEMT технологии
0.911
РИД
Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя S-диапазона с автосмещением на основе 0,5 мкм GaAs pHEMT технологии
0.902
РИД
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНОГО ПРИЕМНОГО МОДУЛЯ S-ДИАПАЗОНА
0.900
РИД
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА 6-БИТНОГО ФАЗОВРАЩАТЕЛЯ S-ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ 180 НМ КМОП ТЕХНОЛОГИИ
0.899
РИД
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА МАЛОШУМЯЩЕГО УСИЛИТЕЛЯ ДИАПАЗОНА 2-4 ГГЦ НА ОСНОВЕ 180 НМ КМОП ТЕХНОЛОГИИ
0.896
РИД
Монолитная интегральная схема буферного усилителя S-диапазона с интегрированным датчиком температуры на основе 180 нм КМОП технологии
0.895
РИД