РИД
№ 624112800230-5МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ТРЕХКАСКАДНОГО ТРАНСИМПЕДАНСНОГО УСИЛИТЕЛЯ НА ОСНОВЕ 0,5 МКМ GAAS РНЕМТ ТЕХНОЛОГИИ
28.11.2024
Функционально ИМС является трехкаскадным одноканальным трансимпедансным усилителем с обратной связью и однополярным питанием. Технические характеристики: диапазон частот 0,1..7 ГГц; коэффициент трансимпедансного усиления 43...45 дБΩ, коэффициент отражения по входу и выходу не хуже -10 дБ; напряжение питания +7..9 В; ток потребления - не более 85 мА. Размеры кристалла 1,35 x 1,15 мм2.
ГРНТИ
47.33.31 Интегральные микросхемы
Ключевые слова
КОЭФФИЦИЕНТ ТРАНСИМПЕДАНСНОГО УСИЛЕНИЯ
ОДНОПОЛЯРНОЕ ПИТАНИЕ
ТРЕХКАСКАДНЫЙ ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ТРАНСИМПЕДАНСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
ИМС
Детали
НИОКТР
Тип РИД
Топология интегральных микросхем
Сферы применения
В образовательной и научной деятельности
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Похожие документы
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ОДНОКАСКАДНОГО ТРАНСИМПЕДАНСНОГО УСИЛИТЕЛЯ НА ОСНОВЕ 0,5 МКМ GAAS РНЕМТ ТЕХНОЛОГИИ
0.967
РИД
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ТРЕХКАСКАДНОГО МАЛОШУМЯЩЕГО УСИЛИТЕЛЯ KU-ДИАПАЗОНА С АВТОСМЕЩЕНИЕМ НА ОСНОВЕ 0,5 МКМ GAAS РНЕМТ ТЕХНОЛОГИИ
0.953
РИД
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА 5- БИТНОГО ЦИФРОВОГО АТТЕНЮАТОРА S- ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ 0,5 МКМ GAAS РНЕМТ ТЕХНОЛОГИИ
0.917
РИД
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА GAAS РНЕМТ ДВУХКАСКАДНОГО МШУ ДИАПАЗОНА ЧАСТОТ 1,5-2,5 ГГЦ
0.896
РИД
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ЦИФРОВОГО ПЕРЕСТРАИВАЕМОГО 6-ТИ БИТНОГО АТТЕНЮАТОРА НА ОСНОВЕ 180 НМ КМОП ТЕХНОЛОГИИ
0.877
РИД
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА МАЛОШУМЯЩЕГО УСИЛИТЕЛЯ ДИАПАЗОНА 2-4 ГГЦ НА ОСНОВЕ 180 НМ КМОП ТЕХНОЛОГИИ
0.876
РИД
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА ТРАНСИМПЕДАНСНОГО УСИЛИТЕЛЯ ДЛЯ ЛИНИЙ СВЯЗИ 2,5 ГБ/С НА ОСНОВЕ 180 НМ КМОП ТЕХНОЛОГИИ
0.876
РИД
Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя S-диапазона с автосмещением на основе 0,5 мкм GaAs pHEMT технологии
0.874
РИД
Монолитная интегральная схема широкополосного трансимпедансного усилителя для систем оптической связи до 5 Гб/с на основе 180 нм КМОП технологии
0.866
РИД
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНОГО ПРИЕМНОГО МОДУЛЯ S-ДИАПАЗОНА
0.864
РИД