Способ изготовления полупроводникового прибора

Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния n - типа проводимости с удельным сопротивлением 4,5 Ом*см, ориентации (100) формировали слой подзатворного оксида при температуре 1200°С в течение 14 мин. в потоке осушенного кислорода 1500 см3/мин. Хлор вводили в окисел, добавляя к кислороду азот 60 см3/мин, пропущенный через сосуд с трихлорэтиленом при температуре 34°С. Перед выгрузкой из реактора подложки отжигали в потоке азота при температуре 650°С, в течение 2 мин, а затем медленно, во избежание образования напряжений кристаллической решетки, удаляли из зоны максимального нагрева. Активные области полевого транзистора и контакты формировали по стандартной технологии. Атомы хлора связывают и нейтрализуют подвижные ионы в оксиде в близи поверхности кремния, что приводит к уменьшению плотности поверхностных состояний.