Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочного транзистора с пониженным значением дефектности. Способ изготовления тонкопленочных транзисторов согласно изобретению включает предварительную обработку Si-подложек пучком нейтрализованных ионов Аr в сверхвысоком вакууме с последующим отжигом при температуре 600°С в течение 60 мин в камере и формирование слоя аморфного кремния электронно-лучевым методом со скоростью 0,5 нм/с на Si-подложках, нагретых до 100°С при давлении 2⋅10-7 Па, с последующим уплотнением слоя аморфного кремния при температуре 450°С. Изобретение обеспечивает снижение дефектности, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.