Устройство поджигания плазмы в высокочастотном источнике плазмы (Регистрация заявки на изобретение № 2024134811 от 21.11.2024 г.)

Изобретение относится к области плазменной техники, в частности, к способу поджигания разряда в высокочастотном (ВЧ) источнике плазмы, который создает плазменный эмиттер в ионных источниках инжекторов атомарных пучков. Техническим результатом заявленного устройства является увеличение длительности работы источника плазмы до десятков секунд и более, не разрушая при этом катодную часть устройства поджигания плазмы. На заднем фланце плазменной камеры в центре установлено устройство поджигания плазмы, совмещенное с напуском газа. Устройство не выступает за плоскость фланца внутрь плазменной камеры. Рабочий газ подается в плазменную камеру через электромагнитный импульсный клапан, установленный на корпусе устройства. Газ от клапана проходит в канале внутри катодного молибденового электрода, затем через два радиальных отверстия выходит в зазор между электродом и керамическим изолятором в виде трубки. Далее проходит через два паза в электроде, имеющем в этом месте диаметр равный внутреннему диаметру керамической трубки, и попадает в область поджигового разряда по внутренней поверхности керамической трубки. Клапан гальванически развязан по потенциалу с корпусом поджига с помощью изоляторов. Разряд между катодом и молибденовым анодом инициируется подачей импульса высокого напряжения до ~3 кВ между корпусом устройства, соединенным с анодом, и корпусом клапана, соединенным с катодным электродом. На катод подается минусовой потенциал.