Фотоэлектрический преобразователь

Изобретение относится к электронной технике, а именно к фотоэлектрическим преобразователям солнечной энергии. Фотоэлектрический преобразователь на основе изотипной варизонной гетероструктуры из полупроводниковых соединений A3B5 и/или A2B6 содержит полупроводниковую подложку и изотипный с подложкой фотоактивный слой, просветляющий слой и омические контакты. Ширина запрещенной зоны в фотоактивном слое уменьшается в направлении от освещаемой поверхности к подложке за счет изменения состава материала фотоактивного слоя, приводящего к изменению ширины запрещенной зоны с градиентом от 0,8 эВ/мкм до 1,2 эВ/мкм, что обеспечивает градиент тянущего электрического поля в фотоактивном слое в диапазоне 0,8-1,2 В/мкм. Фотоэлектрический преобразователь согласно изобретению имеет повышенный КПД.