Широкополосный параметрический усилитель бегущей волны на основе микрополосковой линии передачи из тонкой пленки нитрида ниобия и германия

Полезная модель относится к области криогенной СВЧ электроники, а именно сверхпроводниковым параметрическим усилителям. Изобретение может использоваться для усиления микроволнового сигнала различных устройств, работающих при температуре ниже 4 К, а именно сверхпроводниковых кубитов, астрофизических датчиков, молекулярных магнитных устройств, а также может использоваться при поиске аксионов – частиц темной материи. Техническим результатом полезной модели является широкополосное усиление до 20 дБ. Технический результат достигается следующим образом. Широкополосный параметрический усилитель микроволнового сигнала представляющий собой многослойную интегральную схему, напыленную на диэлектрическую подложку и состоящую из следующих принципиальных частей: длинная микрополосковая передающая линия периодически изменяющейся ширины, выполненная из нитрида ниобия, германия в качестве диэлектрического слоя и ниобия в качестве слоя земли, согласователи между микрополосковой линией и копланарными контактными площадками.