Транзисторная КМОП структура с малым пороговым напряжением

Интегральная микросхема предназначена для использования в устройствах общего назначения в цепях постоянного тока для приёма, передачи и обработки цифровых сигналов. Выполнена по планарно-эпитаксиальной технологии и представляет собой комплементарную пару из двух транзисторов МОП структуры р- и n-проводимости с изолированным затвором и индуцированным каналом. Побочным образом выполнен один обратный р-n диод защитного характера для транзистора n-проводимости. Полупроводниковые элементы размещаются на едином кристалле. Микросхема имеет шесть выводных контактов, что обеспечивает унификацию по схеме подключения с аналогичными элементами, например, единичными транзисторами МОП структуры. Выходное значение напряжения зависит от типа включённого транзистора и может быть равным значению напряжения источника питания или нулевому, что обеспечивает возможность для использования интегральной схемы в устройствах ТТЛ-логики. Имеется обратный диод, через который происходит стекание заряда при прекращении подачи напряжения на микросхему. Технические характеристики: диапазон напряжения питания Uпит (Т = 20°С) от 0,95 В до 1,05 В; номинальное напряжение питания Uном (Т = 20°С, Iст.=3,0 мА) 1,0 ± 1 % В; пороговое напряжение (напряжение открытия) Uп (Т = 20°С) 0,346; напряжение пробоя сток-исток (Т = 20°С) Uпр.= 10 В; напряжение пробоя стокового перехода (Т = 20°С) Uпр.ст.= 4 В; номинальный ток стока Iст.ном. (Т = 20°С) 3,0 мА; диапазон тока стока Iст. (Т = 20°С) от 1,0 до 5,0 мА; ток утечки в закрытом состоянии Iут. (Т = 20°С, Uпит.= 1 В) не более 0,6 мкА; максимально допустимый пиковый ток через транзистор (Т = 20°С, t ≤ 0,1 мс) 20 мА; максимальная частота переключений (Т = 20°С, Uпит.=1 В) 330 МГц; время переключения транзистора (Т = 20°С, Uпит.=1 В) 3 нс; максимальная рассеиваемая кристаллом мощность Рmax (Т = 20°С) 5 мВт; диапазон допустимых температур от минус 50°С до 125°С.