Программа для кинетического моделирования формирования наноструктур In/GaAs(001) методом капельной эпитаксии

26.12.2024

Реализованная в программе модель позволяет учесть семь уровней связей атомов и энергию взаимодействия на основе потенциала Ланнарда-Джонса, критический размер зародышей, а также плотность упаковки атомов в формируемых кластерах. Функциональные возможности программы включают оценку концентрации центров зарождения островков и интенсивности нуклеации, расчет геометрических характеристик наноструктур и диффузионных параметров атомов на поверхности в широком диапазоне технологических параметров, а также на большом пространственном и временном масштабе.

ГРНТИ

45.09.35 Полупроводниковые материалы

29.29.41 Взаимодействие атомов и молекул со средой

Ключевые слова

молекулярно-лучевая эпитаксия

индий

наноструктуры

Детали

НИОКТР

№ АААА-А15-115121110033-7

Тип РИД

Программа для ЭВМ

Сферы применения

Программа предназначена для проведения вычислительных экспериментов по капельной эпитаксии индия с помощью кинетического метода Монте-Карло. Область применения: молекулярно-лучевая эпитаксия наноструктур InAs/GaAs

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет"

Заказчик

Российский научный фонд

Похожие документы

Кинетическое моделирование физических процессов при росте наноструктур In/AlGaAs методом капельной эпитаксии на подложках, модифицированных участками прямоугольной формы

0.966

РИД

Программа для моделирования процессов формирования наноструктур In/AlGaAs(001) методом капельной эпитаксии

0.962