Способ формирования фоторезистивной маски

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем и устройств на основе кремния. Способ формирования фоторезистивной маски включает последовательное нанесение функционального слоя на полупроводниковую подложку, осаждение на поверхность функционального слоя жесткой маски, нанесение слоя антиотражающего покрытия (АОП) на поверхность жесткой маски, нанесение слоя фоторезиста на поверхность АОП, формирование с помощью фотолитографии топологического рисунка в слое фоторезиста, контроль геометрических параметров элементов фоторезистивной маски, нанесение на сформированную фоторезистивную маску пленки выравнивающего слоя, вскрытие поверхности слоя АОП путем травления материала выравнивающего слоя через маску фоторезиста, последовательное плазменное травление слоев антиотражающего покрытия, жесткой маски, при этом в качестве выравнивающего слоя используется пленка самовосстанавливающегося материала толщиной слоя больше, чем максимальное значение микронеровностей, выявленных при контроле геометрических параметров элементов фоторезистивной маски, управляемое воздействие на материал выравнивающего слоя внешних факторов до выравнивания микронеровностей на горизонтальных и вертикальных поверхностях фоторезистивной маски за счет физико- химических свойств материала выравнивающего слоя, анизотропное плазменное травление самовосстанавливающегося слоя до вскрытия незащищенной фоторезистом поверхности антиотражающего покрытия и тримминг - травление материала выравнивающего слоя, остающегося на боковых поверхностях элементов фоторезистивной маски - самовосстанавливающегося слоя с использованием плазменного травления до восстановления заданных линейных размеров элементов фоторезистивной маски. Изобретение обеспечивает возможность существенно уменьшить неровность края линии фоторезистивной маски при сохранении требуемой производительности процесса изготовления полупроводникового прибора.