РИД
№ 625011402264-7Технологическая инструкция по изготовлению металлических мишеней для напыления буферного слоя
14.01.2025
Данная инструкция может быть использована для изготовления плоской металлической мишени, предназначенной для нанесения буферного слоя при получении высокотемпературных сверхпроводников 2-го поколения
ГРНТИ
29.19.29 Сверхпроводники
Ключевые слова
ВТСП-2
высокотемпературный сверхпроводник
металлическая мишень
Детали
НИОКТР
Тип РИД
Секрет производства (ноу хау)
Сферы применения
Разработанный способ может быть использован для получения сплавов с редкоземельными металлами, в частности для изготовления сплавов циркония с иттрием
Ожидается
Заказчик и Исполнитель совместно
Исполнители
АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ВЫСОКОТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ НЕОРГАНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ ИМЕНИ АКАДЕМИКА А.А. БОЧВАРА"
Заказчик
ГОСУДАРСТВЕННАЯ КОРПОРАЦИЯ ПО АТОМНОЙ ЭНЕРГИИ "РОСАТОМ"
Похожие документы
Технологическая инструкция по изготовлению мишеней для напыления сверхпроводящего слоя
0.938
РИД
Способ изготовления плоской мишени из сплава Zr-Y
0.907
РИД
Технологическая инструкция по изготовлению керамических мишеней для напыления буферного слоя
0.899
РИД
Технология изготовления мишеней методом ИПС из высокоэнтропийного сплава системы Ti-Nb-Zr-V и диборида на его основе для магнетронного распыления
0.898
РИД
Технология изготовления мишеней для магнетронного распыления на основе дисилицида молибдена диборида циркония методом искрового плазменного спекания
0.893
РИД
Разработка технологий и изготовление опытных партий мишеней различного химического состава (этап 1, промежуточный)
0.877
ИКРБС
Конструкция мишени для синтеза наноструктурных электрокатализаторов на углеродном носителе магнетронно-ионным распылением
0.867
РИД
Технология изготовления мишеней из карбида кремния для магнетронного распыления методом искрового плазменного спекания
0.865
РИД
Способ изготовления мишеней для магнетронного напыления.
0.863
РИД
Разработка газофазных методов синтеза трубчатых керамических и металлокерамических мишеней для магнетронного формирования функциональных покрытий
0.862
ИКРБС