Технологическая платформа атомно-слоевого осаждения

Изобретение относится к области разработки устройств по нанесению тонких пленок, а именно к созданию технологической платформы нанесения тонких пленок с использованием технологии атомно-слоевого осаждения. Изобретение может быть эффективно использовано для атомно-слоевого осаждения тонких, высококонформных диэлектрических, полупроводниковых и металлизированных покрытий, c контролем толщины на атомарном уровне и с возможностью варьирования концентрации легируемых компонентов в условиях проточно-вакуумной системы.