ФАЗОВРАЩАТЕЛЬ X- И KU- ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ 500 НМ GAAS ТЕХНОЛОГИИ

12.02.2025

ИМС предназначена для работы в составе радиолокационных приемопередающих модулей и телекоммуникационного оборудования. Микросхема содержит дискретный фазовращатель, состоящий из восьми секций, и управляющий драйвер параллельного типа. Кристалл изготавливается на основе 500 нм GaAs технологии. Технические характеристики: диапазон частот 11-14 ГГц; вносимые потери 9,2 дБ; возвратные потери 13,2 дБ; диапазон фазового сдвига 358,6 град; СКО фазовой ошибки 1,6 дБ; СКО амплитудной ошибки 0,3 дБ; напряжение питания драйвера -5 В; размеры кристалла 2,5 × 2,4 × 0,1 мм.

ГРНТИ

47.59.37 Коммутационные элементы

Ключевые слова

GAAS ТЕХНОЛОГИЯ

УПРАВЛЯЮЩИЙ ДРАЙВЕР

ДИСКРЕТНЫЙ ФАЗОВРАЩАТЕЛЬ

ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННОЕ ОБОРУДОВАНИЕ

РАДИОЛОКАЦИОННЫЕ ПРИЕМОПЕРЕДАЮЩИЕ МОДУЛИ

Детали

Тип РИД

Топология интегральных микросхем

Сферы применения

ИМС предназначена для работы в составе радиолокационных приемопередающих модулей и телекоммуникационного оборудования

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"

Заказчик

Похожие документы

Монолитно-интегральная схема фазовращателя Ka-диапазона частот

0.919

РИД

Интегральная схема фазового СВЧ модулятора на 11,25 градусов

0.911

РИД

Монолитная интегральная схема SiGe BiCMOS векторного фазовращателя Х-диапазона с интегрированными корректирующими ЦАП

0.907

РИД

Монолитная интегральная схема фазовращателя 2,7 - 3,2 ГГц диапазона частот на основе 0,5 мкм GaAs рНЕМТ технологии