Нанозонд для неинвазивного измерения локального магнитного поля нанообъектов с высоким пространственным и количественным разрешением

Изобретение относится к области криогенных нанотехнологий, а именно к устройствам, способным измерять очень слабые магнитные поля, обеспечивать высокое разрешение при сканировании, фиксировать небольшие изменения температуры, детектировать электромагнитное излучение и диссипацию энергии. Основной составляющей изобретения является стандартный зонд магнитно-силового микроскопа, который включает джозефсоновский контакт, выполненный в планарной технологии из гибридной структуры "сверхпроводник-нормальный металл-сверхпроводник", расположенной на конце кантилевера. Также предусмотрены четыре подводящих сверхпроводящих электрода на чипе кантилевера, которые предназначены для пропускания тока через нормальный слой в области слабой связи и измерения напряжения на устройстве. Процесс зондовой микроскопии позволяет в реальном времени и пространстве контролировать позицию нанозонда с нанометровой точностью, что обеспечивает возможность изучения различных свойств поверхности исследуемого объекта.