Способ легирования кремниевой пластины

Изобретение относится к области легирования и сверхлегирования полупроводниковых подложек кремния путем лазерной обработки и может быть использовано в оптоэлектронике, фотовольтаике, для приборов солнечной энергетики, ночного и тепло видения. Способ заключается в облучении через оптически прозрачную для лазерного излучения пластину поверхности подложек кремния с нанесенной тонкой пленкой, состоящей из материала источника легирующей примеси, импульсами сфокусированного лазерного излучения с плотностью энергии, достаточной для нагрева поверхности кремния до температуры, при которой происходит диффузия в нее атомов легирующей примеси, но не превышающей абляционного порога материала пленки. Предложенный способ позволяет повышать концентрацию и глубину залегания легирующей примеси. Технический результат заключается в повышении эффективности оптического поглощения кремния в ближнем и среднем инфракрасном диапазоне за счет увеличения эффективности легирования, а именно внедрения легирующей примеси в концентрации, превышающей предел равновесной растворимости, в поверхностный слой подложки кристаллического кремния.