Моделирование влияния нанонеоднородностей в области управляющего электрода на резистивные переключения в структуре на основе микрокристалла селенида висмута

28.02.2025

Программа предназначена для компьютерного анализа с помощью модели критического поля резистивных переключений в структуре на основе микрокристалла («чешуйки») селенида висмута. Программа позволяет исследовать влияние на переключения нанонеоднородностей в области контакта управляющего электрода с изолирующим слоем. В качестве неоднородностей рассматриваются либо неровности на электроде, либо объемные включения в изолирующем слое, обладающие высокой проводимостью. Входными параметрами программы являются геометрические размеры и удельные сопротивления составных частей структуры, а также форма, размер и расположение неоднородностей. Язык программирования Фортран. Операционная система: Linux, Windows. Объем программы для ЭВМ: 105381 байт.

ГРНТИ

47.09.48 Наноматериалы для электроники

Ключевые слова

селенид висмута

микрокристалл

резистивные переключения

Моделирование

Детали

НИОКТР

№ 122041200017-8

Тип РИД

Программа для ЭВМ

Сферы применения

Результаты моделирования могут использоваться при оптимизации характеристик структуры, важных для ее практического применения в исследованиях и производстве элементов микроэлектроники

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И ОСОБОЧИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК

Заказчик

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Похожие документы

Компьютерное исследование биполярных резистивных переключений в гетероструктурах на основе LSMO

0.896

РИД

Компьютерное исследование биполярных резистивных переключений в гетероструктурах на основе YBCO с помощью модели критического поля.

0.889