Способ получения высокотемпературной композиционной шихты в системе TaN-HfC-SiC

Изобретение относится к способу получения высокотемпературной композиционной шихты в системе TaN-HfC-SiC и может быть использовано в технологии сверхвысокотемпературных материалов и изделий из керамики, применяемых для защиты наиболее термически нагруженных узлов и агрегатов (воздушно-реактивных двигателей, носовых обтекателей) летательных аппаратов, в атомной промышленности, а также в металлургии в качестве абразивов и инструментов для резки и обработки металлов. Способ получения высокотемпературной шихты в системе TaN-HfC-SiC заключается в том, что проводят механохимическую активацию смеси TaN и HfC в шаровой мельнице твердосплавными мелющими телами из WC в течение 45 мин и скорости вращения барабана 400 об/мин, которая приводит к измельчению материала и образованию приповерхностных твердых растворов. После механохимической активации смеси к ней добавляют порошок SiC с размером частиц 1-10 мкм в массовом соотношении SiC:HfC, равном 1:1,8. Все компоненты смешивают в шаровой мельнице в течение 2 ч и скорости вращения барабана 300 об/мин. Получаемая таким образом шихта обладает более высоким коэффициентом диффузии, что позволяет спекать материал при более низких температурах. В качестве исходного сырья выбраны порошки TaN, HfC, SiC. Изобретение позволяет упростить процесс спекания керамического материала. 7 пр.