СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОДИОДА

1. Способ изготовления фотодиода, заключающийся в том, что создают на подложке GaAs эпитаксиальную многослойную полупроводниковую структуру с активным слоем и широкозонным поверхностным слоем GaAlAs, к которому выполняют первый омический контакт с формированием его геометрии, наносят просветляющее покрытие с формированием мезы и создают второй омический контакт, отличающийся тем, что первый омический контакт выполняют в виде кольцевого электрода с сеткой и наносят напылением с последующим ручным удалением фоторезиста, а просветляющее покрытие наносят из нитрида кремния. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сетку выполняют прямоугольной. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сетку выполняют концентрической. 4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют газофазную эпитаксию для формирования активного слоя полупроводниковой струкртуры. 5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формируют мезу плазменным травлением.