Фотоэлектрический оптоволоконный модуль

Сущность: фотоэлектрический оптоволоконный модуль включает оптоволокно и полупроводниковый гетероструктурный фотодиод, включающий узкозонный фотоактивный слой, заключенный между двумя широкозонными слоями. На тыльной поверхности гетероструктуры выполнены слой диэлектрика с показателем преломления <1,4 и слой металла с коэффициентом отражения более 96%. Фотодиод выполнен в виде основного цилиндра с двумя выступами, выполненными в виде частей дополнительных цилиндров. Площадь поперечного сечения основного цилиндра установлена превышающей в 20-50 раз суммарную площадь поперечных сечений выступов. При этом фронтальная поверхность одного из выступов установлена в одной плоскости с фронтальной поверхностью гетероструктуры, а фронтальная поверхность другого выступа выполнена примыкающей к торцу тыльного широкозонного слоя гетероструктуры. Омические контакты выполнены на фронтальных поверхностях выступов. КПД модуля составил 62% при выходной мощности 40 мВт. Технический результат: увеличение выходной электрической мощности и эффективности модуля за счет снижения оптических и рекомбинационных потерь.