РИД
№ 625101700020-6Программа расчета концентрационных зависимостей механизмов рекомбинации в твердом растворе GaPNAs
17.10.2025
Программа предназначена для расчета зависимостей темпов
рекомбинации, обусловленных различными механизмами, от темпа
генерации носителей в твердом растворе GaPNAs.
Программа может использоваться для оценки преобладающих
механизмов рекомбинации при заданном темпе генерации носителей.
Программа позволяет на основе материальных характеристик
твердого раствора GaPNAs и добротности системы произвести расчет темпов
рекомбинации
по
различным
механизмам
(Шокли-Рида-Холла,
излучательная, Оже и стимулированная) в зависимости от уровня накачки.
Результатом работы программы являются графики зависимости темпов
рекомбинации от темпа генерации носителей в твердом растворе GaPNAs с
определенным значением добротности системы, которые могут быть
использованы для оценки доминирующего механизма рекомбинации и
порогового значения стимулированной генерации излучения.
ГРНТИ
29.03.77 Моделирование физических явлений
Ключевые слова
Твердый раствор
GaPNAs
рекомбинация
Детали
НИОКТР
Тип РИД
Программа для ЭВМ
Сферы применения
Оценка доминирующих механизмов рекомбинации и порогового значения стимулированной генерации излучения.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ПЕТРА ВЕЛИКОГО"
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Похожие документы
Программа для вычисления материальных параметров полупроводниковых твердых растворов GaPAs и GaPNAs
0.891
РИД
Программа расчета параметров зонной перекристаллизации в градиенте температур для получения непоглощающих окон в двойной лазерной гетероструктуре GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs
0.880
РИД
Программа для определения произведения подвижности и времени жизни носителей заряда в сенсорах HR-GaAs:Cr
0.874
РИД
Программа расчета параметров зонной перекристаллизации в градиенте температур для получения непоглощающих окон в двойной лазерной гетероструктуре GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs
0.873
РИД
Программа для моделирования профиля диффузии Zn в гетероструктурах InGaAs/InAlAs/InP с учетом сегрегации
0.869
РИД
Программа для ЭВМ 'Программа для расчета cтатических характеристик резонансно-туннельных диодов на основе GaN'
0.864
РИД
ПРОГРАММНОЕ СРЕДСТВО РАСЧЕТА ТОЛЩИНЫ И СОСТАВА КВАНТОВОЙ ЯМЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ InGaAs/GaAs ДЛЯ ДОСТИЖЕНИЯ ДЛИНЫ ВОЛНЫ ИЗЛУЧЕНИЯ 976 НМ
0.860
РИД
Моделирование приведеной скорости рекомбинации неоднородных поупроводниковых структур
0.859
РИД
Расчет температурной зависимости концентрации носителей заряда в полупроводниковом компенсированном алмазе
0.857
РИД
Программа моделирования электронно-стимулированной термической деполимеризации резиста
0.857
РИД