Вакуумная камера для кристаллизации перовскитных пленок

Изобретение относится к конструкции вакуумной камеры для кристаллизации перовскита, полученного в комнатном условии. Техническим результатом, достигаемом в изобретении, являются разработка конструкции вакуумной камеры для кристаллизации перовскита на большой подложке размером до 10 × 10 см2 при комнатной условии. КПД устройств достигает 14,63 % (на ПСЭ размером 50 × 50 мм2) и 14,47 % (размер 100 × 100 мм2) при стандартном условии измерении. Указанных технический результат достигается следующим образом. Вакуумная камера для кристаллизации перовскита состоит из камеры с подставкой подложки и ресивера. Корпус вакуумной камеры изготавливается из нержавеющей стали с диаметором 200 ± 10 до 300 ± 10 мм. На ободе камеры имеется паз, предназначенный для размещения резинового конца диаметора 204 ± 2 до 300 ± 2 мм. Высота камеры составляет 250 ± 15 мм. Диаметр окна откачки 50 ± 2 – 200 ± 2 мм. В вакуумной камере установлена подставка для подложек 100 ± 10 × 100 ± 10 мм2. С помощью вакуумной камеры можно разработать полный цикл изготовления всех функциональных слоев перовскитных солнечных элементов таких как перовскитный активной слой, дырочно-транспортный слой на основе NiOx, CuI, CuSCN, PEDOT:PSS и пр., электронно-транспортный слой (например, PCBM, SnO2, ZnO и пр.) и дырочно-блокирующий слой на основе батокупроина (BCP). Крышка вакуумной камеры составляет прозрачная пластина толщиной 5-20 мм из ПЭТ или акриловой с диаметром 200 ± 10 до 300 ± 10 мм. Для обеспечения быстрого процесса вакуумирования к вакуумной камере подключается дополнительной ресивер с внутренним диаметром основания 90 ± 10 мм и длиной с 290 ± 10 до 390 ± 10 мм.