Способ очистки стенок сквозных отверстий для транзисторов и МИС на основе гетероструктур нитрида галлия на пластинах кремния

Разработанное ноу-хау относится к области микроэлектроники и может быть успешно использовано в технологии изготовления СВЧ транзисторов и МИС на основе нитрида галлия на пластинах кремния. Ноу-хау позволяет реализовать простой, быстрый и эффективный способ очистки стенок сквозных отверстий после глубокого травления кремния и повысить уровень выхода годных металлизации сквозных отверстий до более 95%.