РИД
№ 625120300278-6Способ формирования МДМ-конденсаторов в СВЧ МИС на основе структур нитрида галлия
03.12.2025
Разработанное ноу-хау относится к области микроэлектроники и может быть использовано при производстве СВЧ монолитных интегральных схем на основе структур нитрида галлия. Предложенный способ формирования МДМ-конденсаторов позволяет увеличить выход годных устройств и снизить затраты на их производство.
ГРНТИ
47.33.37 Приборы функциональной микроэлектроники
47.33.31 Интегральные микросхемы
47.09.37 Металлы, металлические сплавы и керметы для радиоэлектроники
47.09.31 Диэлектрические материалы
Ключевые слова
МДМ-конденсатор
пробивное напряжение
нитрид галлия
монолитные интегральные схемы
Детали
НИОКТР
Тип РИД
Секрет производства (ноу хау)
Сферы применения
Создание СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) на основе нитрида галлия для современных систем радиолокации, радиоэлектронной борьбы, а также телекоммуникации и систем связи 5G.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ"
Заказчик
Правительство Российской Федерации
Похожие документы
Разработка технологии изготовления СВЧ интегральных микросхем и дискретных элементов на основе широкозонных полупроводников
0.884
ИКРБС
Разработка технологии изготовления СВЧ интегральных микросхем и дискретных элементов на основе широкозонных полупроводников
0.880
ИКРБС
Магнетронная технология изготовления и электрические свойства мемристора на основе смешанных оксидов металлов
0.880
Диссертация
Эффективная НЕМТ-технология изготовления монолитных многофункциональных интегральных схем СВЧ на полуизолирующих пластинах арсенида галлия
0.875
РИД
Способ получения покрытий из диоксида марганца на танталовых анодах оксидно-полупроводниковых конденсаторов
0.867
РИД
Разработка технологии изготовления СВЧ интегральных микросхем и дискретных элементов на основе широкозонных полупроводников
0.865
НИОКТР
Разработка технологии формирования узла тонких пленок металл, сегнетоэлектрик, металл методом магнетронного распыления для ячейки FRAM памяти
0.863
НИОКТР
Технология создания СВЧ управляющего устройства на базе ММИС
0.863
РИД
Проектирование и изготовление микроэлектромеханических переключателей на подложках GaAs для СВЧ-диапазона
0.863
Диссертация
Разработка физико-химической модели мемристора на основе оксидов металлов
0.862
ИКРБС