Способ плазмохимического травления кремниевых структур

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем, устройств микромеханики - микроэлектромеханических систем (МЭМС) и микрофлюидики на основе кремния. Суть изобретения – способ анизотропного плазменного травления c разделением на три этапа: травление кремния в элегазе с добавлением 5-7% кислорода, осаждение пассивирующей пленки, распыление ионной бомбардировкой пассивирующей пленки со дна структуры аргоном и элегазом при температуре подложкодержателя с пластиной 15-20 оС. Данный способ предназначен для формирования кремниевых структур со сверхмалым аспектным отношением с минимальной шероховатостью поверхностей и анизотропией профиля, отличающийся высокой равномерностью скоростей травления по площади пластины, низкой рабочей температурой, воспроизводимостью и стабильностью плазмы. Задача изобретения - улучшение воспроизводимости процесса плазмохимического травления кремния и качества профиля травления кремния с точки зрения анизотропии и шероховатости, а также применимость к структурам с малым аспектным отношением.