Сверхвысокочастотная монолитная интегральная схема 6-ти разрядного аттенюатора

Микросхема предназначена для использования в системах Активных Фазированных Антенных Решеток (АФАР), приемопередающих модулях (ППМ) и системах связи частотного диапазона 8-12 ГГц. Микросхема изготавливается на GaAs подложке по технологии pHEMT с проектной нормой 0.5 мкм. Контактные площадки и обратная сторона пластины металлизированы золотом, лицевая сторона пластины пассивирована нитридом кремния. 6-ти разрядный дискретный аттенюатор состоит из 6-ти секций, которые вносят ослабление в СВЧ сигнал от 0 дБ до 31,5 дБ с шагом 0,5 дБ. Секции аттенюатора представляют из себя фильтры на переключаемых элементах, в качестве которых выступают нормально открытые pHEMT, работающие в режиме управляемого сопротивления канала. Габаритные размеры кристалла 2950 × 1550 × 100 мкм3.