Способ магнетронного напыления с ультразвуковым распылением плазмы

Изобретение относится к области нанесения покрытий методом магнетронного распыления. Способ магнетронного распыления заключается в использовании магнетронной распылительной системы сбалансированного типа, содержащей расположенные в вакуумной камере анод и катодный узел, включающий мишень и магнитный блок, а также держатель напыляемой подложки. В отличие от прототипа между мишенью и подложкой на расстоянии (0,65–0,80) L от мишени размещают источник ультразвуковых колебаний с частотой 0,35–0,65 МГц, где L – расстояние между мишенью и подложкой. Технический результат: повышение равномерности толщины покрытия при распылении мишеней и обеспечение колебания плазменного облака по поверхности подложки в процессе распыления мишени.