Физические принципы магниторезистивной памяти с записью электрическим полем на основе нанослоя феррита висмута

Представлены аналитические и численные расчеты магнитной структуры границы раздела ферромагнетик - мультиферроик. Предложена теория, описывающая механизм межслойного взаимодействия, которая дает объяснение экспериментально наблюдаемому перемагничиванию ферромагнитного слоя в составе многослойной наноструктуры с электрочувствительным слоем феррита висмута. Показано, что переориентация вектора поляризации, вызванная электрическим полем, влечет за собой переориентацию вектора антиферромагнетизма. Наличие слабого ферромагнетизма и линейного магнитоэлектрического эффекта не является необходимым для реализации магниторезистивной памяти на основе нанослоев мультиферроика, переключаемой электрическим полем. Найдены конфигурации срез - деформация - направление поля, наиболее перспективные для создания магниторезистивной памяти с записью электрическим полем.