Эффект обратимого переключения электрической проводимости в тонких пленках нестехиометрического оксида кремния

Исследования эффекта обратимого переключения электрической проводимости (ОПЭП) в тонких пленках нестехиометрического оксида кремния (SiOₓ) привели к выявлению малоизученных закономерностей, не поддающихся объяснению с единых позиций в рамках разработанных ранее моделей. Эффект ОПЭП в тонких пленках SiOₓ используется для создания востребованного класса электронных приборов – микросхем энергонезависимой резистивной памяти. Проведено исследование материаловедческих, технологических и приборных задач в области изучения обратимого изменения электрической проводимости в тонких пленках SiOₓ. Построена феноменологическая количественная модель, описывающая структурные перестройки в SiOₓ-матрице, индуцированной электроформовкой вблизи открытой поверхности тонкой пленки SiO₂, которая позволила адекватно спрогнозировать экспериментально наблюдаемое изменение степени дисперсности коллектива Si-включений и связанное с ней состояние электрической проводимости SiOₓ в зависимости от набора характеристик электрического импульса перезаписи.