Исследование методами растровой электронной микроскопии пленок и гетероструктур на основе нитрида галлия

Структуры на основе системы множественных квантовых ям InGaN/GaN и пленок GaN получают все более широкое применение в микроэлектронике. Впервые проведены измерения локальных параметров латерально зарощенных пленок GaN: диффузионной длины неосновных носителей заряда и эффективной концентрации доноров. Показано, что уровень легирования в областях вертикального роста не менее чем в три раза превышает уровень легирования в латерально разросшихся областях пленки. Показано, что метод наведенного тока может применяться для визуализации каналов утечек тока в светодиодных структурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN. Установлено, что метод наведенного тока дает возможность оценивать вероятность рекомбинации носителей заряда в квантовых ямах светоизлучающих структур. Показано, что сдвиг пика излучения светодиодов при облучении электронным пучком обусловлен рождением новых, более интенсивных, линий излучения, смещенных в синюю область относительно исходной линии излучения. Полученные результаты облучения светоизлучающих структур низкоэнергетичным пучком можно объяснить в рамках предположения о локальной релаксации напряжений в активном слое светодиодов, не исключая полностью наличие процессов зарядки/перезарядки дефектов. Установлено, что облучение даже с самыми низкими токами пучка приводит к скольжению части фрагментов дислокаций, лежащих в базисной плоскости. Оценена скорость скольжения при облучении. Обнаружено, что дислокации могут двигаться в призматических плоскостях.