Особенности электронно-энергетического строения двумерных и одномерных наноструктур кремния

Исследованы основные закономерности и особенности изменения в зонном спектре двумерных и одномерных наноструктур кремния. Опираясь на результаты теоретических расчётов методов ЛППВ и экспериментальных данных, проведена оценка уменьшения ширины запрещенной зоны в растянутом кремнии в структуре кремний-на-изоляторе на 0,13 эВ. Впервые показано, что наблюдаемый эффект предкраевой интерференции синхротронного излучения при измерении спектров квантового выхода обусловлен соизмеримостью нанометровых длин волн синхротронного излучения с толщиной нанослоёв кристаллического кремния в структурах кремний-на-изоляторе. Впервые наблюдалось явление провала интенсивности в области элементарного кремния при регистрации спектров квантового выхода для образца нитевидного кремния. Установлена зависимость морфологии, субструктуры и фазового состава нитевидных нанокристаллов от степени легирования подложки Si (100) и времени её травления методом металл-ассистированного жидкофазного химического травления.