Источники одиночных фотонов видимого спектрального диапазона на основе эпитаксиальных квантовых точек InAs/AlGaAs и CdSe/ZnSe

Цель: определение физических основ функционирования и методов реализации активных элементов однофотонных источников в видимом спектральном диапазоне (500 - 780 нм) на основе квантовых точек CdSe/ZnSe и InAs/AlGaAs. Выявлен оптимальный режим роста, который позволяет получить минимальную плотность квантовых точек, в результате сравнения характеристик излучательных свойств квантовых точек СdSe/ZnSe, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием различных технологических приемов. Реализован высокий внутренний квантовый выход при повышенных температурах в квантовых точках CdSe за счет снижения вероятности термической активации носителей из квантовых точек в окружающие барьеры ZnSe/ZnSSe/ZnMgSSe. Определено влияние подслоя GaAs, вставленного между нижним барьером и слоем квантовых точек, на величину анизотропного обменного расщепления в тонкой структуре экситонных линий в квантовых точках InAs/AlGaAs. Реализован источник одиночных фотонов для красной области спектра на основе квантовых точек InAs/AlGaAs со скоростью генерации, превышающей 5 МГц. Реализовано однофотонное излучение со скоростью генерации более 1 МГц при температуре 77 К в квантовых точках CdSe в диапазоне длин волн 450 - 600 нм.